Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications The 2SC5703 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Package:** TO-92MOD
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 100mA
- **Total Power Dissipation (PT):** 200mW
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400 (at VCE=6V, IC=2mA)
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (at VCE=10V, IC=10mA, f=100MHz)
- **Capacitance (Cob):** 2.5pF (at VCB=10V, IE=0, f=1MHz)

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SC5703 transistor.