Silicon NPN Epitaxial UHF / VHF Wide Band Amplifier The 2SC5631 is a high-frequency transistor manufactured by HITACHI. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: High-frequency amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 20V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 200mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 600MHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at VCE=6V, IC=2mA, f=1GHz)
- **Gain Bandwidth Product (GBW)**: Not explicitly stated in the provided knowledge base.

These specifications are based on the information available in Ic-phoenix technical data files. For detailed operating conditions and characteristics, refer to the official HITACHI datasheet for the 2SC5631 transistor.