NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE ?HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD The 2SC5606 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by NEC. It is designed for use in RF and microwave applications. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 20V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 12V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 150mW
- **Transition Frequency (fT)**: 7GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200

The transistor is housed in a small surface-mount package (SOT-23) and is suitable for low-noise amplification in VHF to UHF bands.