NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE ?HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD The 2SC5606-T1 is a transistor manufactured by NEC. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor designed for high-frequency amplification. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 20V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 12V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3V
- **Collector Current (IC):** 50mA
- **Total Power Dissipation (PT):** 150mW
- **Transition Frequency (fT):** 6GHz
- **Noise Figure (NF):** 1.2dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE):** 20 to 200

It is commonly used in RF amplification applications, particularly in VHF and UHF bands. The package type is SOT-323, which is a small surface-mount package.