NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE (HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR SUPER HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV. HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS) The 2SC5570 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 1500V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 800V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 7V
- **Collector Current (IC)**: 8A
- **Collector Dissipation (PC)**: 50W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 8 to 40 (at VCE=5V, IC=4A)
- **Transition Frequency (fT)**: 10MHz (min)
- **Applications**: High-voltage switching, power amplification

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SC5570 transistor.

NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE (HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR SUPER HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV. HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS) The 2SC5570 is a high-frequency transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
2. **Application**: Designed for high-frequency amplification, particularly in VHF/UHF bands.
3. **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 30V
4. **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 15V
5. **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 3V
6. **Collector Current (I_C)**: 50mA
7. **Total Power Dissipation (P_T)**: 150mW
8. **Transition Frequency (f_T)**: 7GHz (typical)
9. **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
10. **Gain Bandwidth Product**: High, suitable for RF applications.
11. **Package**: SOT-323 (small surface-mount package)

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SC5570 transistor. Always refer to the official datasheet for precise and detailed information.