Bipolar Transistor The 2SC5566-TD-E is a transistor manufactured by SANYO. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-252 (DPAK)
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 120V
- **Collector Current (Ic)**: 7A
- **Power Dissipation (Pd)**: 30W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (ft)**: 30MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Application**: Designed for use in power amplification and switching applications.

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions outlined in the documentation.

Bipolar Transistor The 2SC5566-TD-E is a transistor manufactured by NEC. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor designed for high-frequency amplification. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1A
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz
- **Operating Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Package:** TO-92MOD

These specifications are typical for high-frequency amplification applications.