Power Device The 2SC5552 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in RF amplifiers and other high-frequency applications. Key specifications include:

- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3V
- **Collector Current (IC):** 50mA
- **Total Power Dissipation (PT):** 150mW
- **Transition Frequency (fT):** 7GHz
- **Noise Figure (NF):** 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE):** 20 to 200
- **Package:** SOT-323

These specifications make the 2SC5552 suitable for applications requiring high-speed switching and low noise performance in the RF spectrum.

Power Device The 2SC5552 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Panasonic (Pana). Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: High-speed switching, amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 180V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1.5W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz
- **Gain Bandwidth Product (hFE)**: 120-560 (at IC = 0.1A, VCE = 5V)
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are typical for the 2SC5552 transistor as provided by Panasonic.