NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Frequency Medium-Output Amplifier Applications The 2SC5551 is a high-voltage, high-speed switching transistor manufactured by SANYO. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 180V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 200V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 2A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = 5V, IC = 0.5A)
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz (at VCE = 10V, IC = 0.5A, f = 1MHz)
- **Package**: TO-220F

These specifications are typical for the 2SC5551 transistor as provided by SANYO.