NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTAGE SWITCHING, DC-DC CONVERTER APPLICATIONS) The 2SC5548 is a high-voltage, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 1500V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 800V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 7V
- **Collector Current (IC)**: 10A
- **Collector Dissipation (PC)**: 50W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 8 to 40 (at VCE = 5V, IC = 5A)
- **Turn-On Time (ton)**: 0.5µs (typical)
- **Turn-Off Time (toff)**: 1.0µs (typical)
- **Package**: TO-3P

These specifications are typical for the 2SC5548 transistor and are intended for use in high-voltage switching applications.

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTAGE SWITCHING, DC-DC CONVERTER APPLICATIONS) The 2SC5548 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 300V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 300V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 6V
- **Collector Current (IC)**: 0.1A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz
- **Collector Capacitance (Cob)**: 2.5pF
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SC5548 transistor.