NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF to UHF Low-Noise Wide-Band Amplifier Applications The 2SC5503 is a high-voltage, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 1500V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 800V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 7V
- **Collector Current (IC)**: 5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 50W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 10MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 8 to 40
- **Package**: TO-3P

These specifications are typical for the 2SC5503 transistor, designed for high-voltage applications such as power supplies and inverters.