NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF to UHF Low-Noise Wide-Band Amplifier Applications The 2SC5501 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 300 V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 300 V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5 V
- **Collector Current (IC)**: 0.1 A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 0.8 W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 50 MHz
- **Collector Capacitance (Cob)**: 2.5 pF
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 320
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SC5501 transistor.