NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION The 2SC5409 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by NEC. It is designed for use in RF and microwave applications, particularly in VHF and UHF bands. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 20V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 150mW
- **Transition Frequency (fT)**: 7GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200
- **Package**: TO-92

These specifications make the 2SC5409 suitable for low-noise amplification and high-speed switching in communication devices.