NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION The 2SC5408 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by NEC. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer**: NEC  
- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application**: High-speed switching, RF amplification  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V  
- **Collector Current (IC)**: 50mA  
- **Total Power Dissipation (PT)**: 150mW  
- **Transition Frequency (fT)**: 5GHz (typical)  
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)  
- **Package**: SOT-323 (SC-70)  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions outlined in the documentation.