NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION The 2SC5408-T1 is a transistor manufactured by NEC. Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Application**: Designed for use in high-frequency amplification and oscillation circuits.
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 300V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 300V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 6V
- **Collector Current (IC)**: 0.1A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1.5W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 50MHz
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are based on the NEC datasheet for the 2SC5408-T1 transistor.