Silicon NPN Epitaxial High Frequency Amplifier The 2SC5390 is a high-frequency, high-speed switching NPN transistor manufactured by HITACHI. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 300V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 300V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 0.1A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 0.8W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 320
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SC5390 transistor and are based on the manufacturer's datasheet.