FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(Ultra super mini type) The 2SC5383 is a high-frequency transistor manufactured by Mitsubishi. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: Designed for high-frequency amplification, particularly in VHF band applications.
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 300mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 1.5GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200

These specifications make the 2SC5383 suitable for use in RF amplifiers and other high-frequency circuits.