Silicon NPN Power Transistors TO-3P(I) package The 2SC5358 is a high-frequency, high-speed switching NPN transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 900V
- **Collector Current (Ic)**: 10A
- **Power Dissipation (Pd)**: 80W
- **Transition Frequency (ft)**: 20MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 8 to 40
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

This transistor is commonly used in high-voltage, high-speed switching applications such as power supplies and inverters.

Silicon NPN Power Transistors TO-3P(I) package The 2SC5358 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor designed for use in RF amplifiers and oscillators. Key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): 30V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 20V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 3V
- Collector Current (IC): 0.1A
- Total Power Dissipation (PT): 0.3W
- Transition Frequency (fT): 7GHz
- Noise Figure (NF): 1.5dB (typical at 1GHz)
- Package: SOT-323

These specifications are typical for the 2SC5358 transistor as provided by Toshiba.