Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process) High Voltage Switching Applications Switching Regulator Applications DC-DC Converter Applications The 2SC5356 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications for the 2SC5356 transistor:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Application**: High-frequency amplification and high-speed switching
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 200MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SC5356 transistor.

Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process) High Voltage Switching Applications Switching Regulator Applications DC-DC Converter Applications The 2SC5356 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: High-frequency amplification and high-speed switching
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 200MHz
- **Gain Bandwidth Product (hFE)**: 60 to 320
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SC5356 transistor.