TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE. HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS FOR BATTERY CHARGER AND POWER SUPPLY. The 2SC5351 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: High-frequency amplification and high-speed switching
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 300V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 300V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 0.1A
- **Collector Dissipation (PC)**: 0.8W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 200MHz
- **Gain Bandwidth Product (hFE)**: 60 to 320
- **Package**: TO-92

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SC5351 transistor.

TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE. HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS FOR BATTERY CHARGER AND POWER SUPPLY. The 2SC5351 is a high-frequency, high-speed switching NPN transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 900V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 800V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 7V
- **Collector Current (IC)**: 6A
- **Collector Dissipation (PC)**: 40W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 10MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 8 to 40 (at IC = 3A, VCE = 5V)
- **Storage Temperature Range**: -55°C to +150°C

This transistor is designed for use in high-voltage, high-speed switching applications such as power supplies and inverters.