Silicon NPN Power Transistors TO-3P(H)IS package The 2SC5339 is a high-frequency, high-speed switching NPN transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon (Si)
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO):** 300V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 300V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V
- **Maximum Collector Current (I_C):** 0.1A
- **Maximum Power Dissipation (P_D):** 0.8W
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz
- **Collector Capacitance (C_ob):** 2.5pF
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 320
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C
- **Package:** TO-92

These specifications are typical for the 2SC5339 transistor and are intended for use in high-frequency amplification and switching applications.