NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER The 2SC5338 is a transistor manufactured by various companies, and it is available in the SOT-89 package. The SOT-89 package is a small surface-mount transistor package with three leads. The specifications for the 2SC5338 transistor typically include:

- **Package Type**: SOT-89
- **Transistor Type**: NPN
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: Typically around 50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: Typically around 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: Typically around 5V
- **Collector Current (IC)**: Typically around 1A
- **Power Dissipation (PD)**: Typically around 1W
- **DC Current Gain (hFE)**: Typically ranges from 100 to 400
- **Transition Frequency (fT)**: Typically around 200MHz

These specifications can vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the specific datasheet provided by the manufacturer for precise details.

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER The 2SC5338 is a high-frequency transistor manufactured by NEC. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: Designed for high-frequency amplification and oscillation applications
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 200mW
- **Transition Frequency (fT)**: 5GHz (typical)
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the information provided in Ic-phoenix technical data files.