High-gain transistor The 2SC5338-T1 is a transistor manufactured by NEC. Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-92
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 100mA
- **Power Dissipation (PD)**: 200mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.

High-gain transistor The 2SC5338-T1 is a transistor manufactured by Renesas Electronics. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor designed for high-frequency amplification. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3V
- **Collector Current (IC):** 50mA
- **Total Power Dissipation (PT):** 150mW
- **Transition Frequency (fT):** 5GHz
- **Noise Figure (NF):** 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Package:** SOT-323 (SC-70)

This transistor is commonly used in RF amplification applications, such as in mobile communication devices and other high-frequency circuits.