NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER The 2SC5337 is a high-frequency transistor manufactured by NEC. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application**: Designed for high-frequency amplification, particularly in VHF/UHF bands.  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V  
- **Collector Current (IC)**: 50mA  
- **Total Power Dissipation (PT)**: 200mW  
- **Transition Frequency (fT)**: 7GHz (typical)  
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)  
- **Gain (hFE)**: 20 to 200  
- **Package**: SOT-23 (miniature surface-mount package)  

These specifications are based on NEC's datasheet for the 2SC5337 transistor.