TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE. HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV, HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS The 2SC5331 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz (at IC = 0.5A, VCE = 5V, f = 100MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SC5331 transistor as provided by Toshiba.

TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE. HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV, HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS The 2SC5331 is a high-frequency transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in RF amplification applications, particularly in VHF and UHF bands. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 150mW
- **Transition Frequency (fT)**: 6000MHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200

The transistor is housed in a small SOT-323 package, making it suitable for compact electronic devices. It is commonly used in mobile communication equipment, such as cellular phones and wireless LAN systems.

TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE. HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV, HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS The 2SC5331 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: High-frequency amplification and high-speed switching
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 20V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 100mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 300mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 800MHz
- **Gain Bandwidth Product (fT)**: 800MHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SC5331 transistor.