Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications The 2SC5321 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by SEC (Sanyo Electric Co., Ltd.). It is designed for use in RF amplifiers and oscillators, particularly in VHF and UHF bands. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 300mW
- **Transition Frequency (fT)**: 7GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20-200

These specifications are typical for applications requiring high-speed switching and amplification in communication devices.

Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications The 2SC5321 is a high-frequency transistor manufactured by FSC (Fairchild Semiconductor Corporation). It is designed for use in RF amplifiers and oscillators, particularly in VHF and UHF bands. The transistor features a high transition frequency (fT) and low noise, making it suitable for applications requiring high-frequency performance. Key specifications include a collector-emitter voltage (VCEO) of 30V, a collector current (IC) of 100mA, and a power dissipation (Pc) of 1W. It is packaged in a TO-92 form factor.