Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications (CHIP: fT=16GHz series) The 2SC5317FT is a high-frequency transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 900V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 1200V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 7V
- **Collector Current (IC)**: 8A
- **Collector Dissipation (PC)**: 40W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 10MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 15 to 60

These specifications are typical for the 2SC5317FT transistor, which is designed for high-voltage, high-speed switching applications.