TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE. HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS. The 2SC5307 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 900V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 1200V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 7V
- **Collector Current (IC)**: 10A
- **Collector Dissipation (PC)**: 100W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 8 to 40 (at VCE = 5V, IC = 5A)
- **Transition Frequency (fT)**: 10MHz (min)
- **Package**: TO-3P

These specifications are typical for the 2SC5307 transistor and are based on Toshiba's datasheet.