NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications The 2SC5291 is a high-power NPN transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 230V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 230V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 17A
- **Collector Power Dissipation (Pc)**: 200W
- **DC Current Gain (hFE)**: 55 to 160 (at Ic = 8A, Vce = 5V)
- **Transition Frequency (ft)**: 20MHz
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Package**: TO-3P

This transistor is commonly used in high-power amplification and switching applications.

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications The 2SC5291 is a high-voltage, high-speed switching transistor manufactured by SANYO. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 1500V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 800V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 7V
- **Collector Current (IC)**: 10A
- **Collector Dissipation (PC)**: 50W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 10MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 8 to 40 (at VCE=5V, IC=1A)
- **Package**: TO-3P

These specifications are typical for the 2SC5291 transistor, which is commonly used in high-voltage switching applications such as power supplies and inverters.