Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Resonant Switching Regulator and General Purpose) The 2SC5271 is a high-voltage, high-speed switching transistor manufactured by SANKEN. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 1500V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 1500V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 7V
- **Collector Current (I_C)**: 10A
- **Base Current (I_B)**: 5A
- **Collector Power Dissipation (P_C)**: 100W
- **Junction Temperature (T_j)**: 150°C
- **Storage Temperature (T_stg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (h_FE)**: 8 to 40 (at V_CE = 5V, I_C = 5A)
- **Turn-On Time (t_on)**: 0.5µs (typical)
- **Turn-Off Time (t_off)**: 1.0µs (typical)
- **Package**: TO-3P

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions specified therein.

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Resonant Switching Regulator and General Purpose) The 2SC5271 is a high-frequency, high-speed NPN silicon transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in RF and microwave applications, particularly in VHF and UHF bands. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 20V
- **Collector Current (Ic):** 0.1A
- **Power Dissipation (Pc):** 1.5W
- **Transition Frequency (ft):** 7GHz
- **Noise Figure (NF):** 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE):** 20-200
- **Package:** SOT-89

This transistor is commonly used in amplifiers, oscillators, and other high-frequency circuits.