Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator and General Purpose) The 2SC5249 is a high-frequency, high-power NPN transistor manufactured by SK (Sanken Electric Co., Ltd.). Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-3P
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 230V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 230V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 17A
- **Collector Power Dissipation (Pc)**: 200W
- **DC Current Gain (hFE)**: 55 to 160 (at Ic = 5A, Vce = 5V)
- **Transition Frequency (ft)**: 20MHz
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -55°C to +150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C

This transistor is commonly used in high-power amplification and switching applications, such as audio amplifiers and power supplies.

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator and General Purpose) The 2SC5249 is a high-voltage, high-speed switching transistor manufactured by SANKEN. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 1500V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 1500V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 7V
- **Collector Current (I_C)**: 15A
- **Base Current (I_B)**: 5A
- **Total Power Dissipation (P_TOT)**: 150W
- **Junction Temperature (T_j)**: 150°C
- **Storage Temperature Range (T_stg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (h_FE)**: 8 to 40
- **Turn-On Time (t_on)**: 0.5µs (typical)
- **Turn-Off Time (t_off)**: 1.0µs (typical)
- **Package**: TO-3P

These specifications are typical for the 2SC5249 transistor as provided by SANKEN.