High voltage VCEO=50V. Small package for mounting. High hFE = 600 to 1800. The 2SC5209 is a high-power NPN transistor manufactured by Mitsubishi. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 230V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 230V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 17A
- **Power Dissipation (Pc)**: 200W
- **DC Current Gain (hFE)**: 55 to 160
- **Transition Frequency (ft)**: 30MHz
- **Package**: TO-3P

These specifications are typical for high-power amplification and switching applications.

High voltage VCEO=50V. Small package for mounting. High hFE = 600 to 1800. The 2SC5209 is a high-power NPN transistor manufactured by Mitsubishi Electric (MIT). It is designed for use in high-power amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 230V
- **Collector Current (Ic):** 17A
- **Power Dissipation (Pc):** 200W
- **DC Current Gain (hFE):** 55 to 160
- **Transition Frequency (fT):** 30MHz
- **Package:** TO-3P

The transistor is suitable for audio amplifiers, power regulators, and other high-power circuits.