NPN Epitaxial Silicon Transistor The 2SC5200 is a high-power NPN transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 230V
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 230V
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 15A
- **Collector Dissipation (P_C)**: 150W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 55 to 160
- **Transition Frequency (f_T)**: 30MHz
- **Package**: TO-264

It is commonly used in high-power audio amplifiers and other applications requiring high voltage and current handling capabilities.