Silicon NPN Power Transistors TO-3PL package The 2SC5199 is a high-power NPN transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 230V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 230V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 50A
- **Collector Dissipation (P_C)**: 150W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 55 to 160
- **Transition Frequency (f_T)**: 20MHz
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-3P

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SC5199 transistor.