Silicon NPN Power Transistors TO-3P(I) package The 2SC5197 is a high-power NPN bipolar transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 230V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 230V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 15A
- **Collector Dissipation (PC)**: 150W
- **DC Current Gain (hFE)**: 55 to 160
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-3P

These specifications are typical for the 2SC5197 transistor and are intended for use in high-power applications such as audio amplifiers and power supplies.

Silicon NPN Power Transistors TO-3P(I) package The 2SC5197 is a high-power NPN transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 230V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 230V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 15A
- **Power Dissipation (PC)**: 150W
- **DC Current Gain (hFE)**: 55 to 160
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-3P

These specifications are typical for the 2SC5197 transistor as provided by Toshiba.