Silicon NPN Power Transistors TO-3P(I) package The **2SC5196** from **TOSHIBA** is a high-power NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for applications requiring robust performance in demanding environments. Known for its high current and voltage handling capabilities, this component is commonly used in power amplification, switching circuits, and industrial equipment.  

With a collector-emitter voltage (**V_CE**) rating of **230V** and a collector current (**I_C**) of **15A**, the 2SC5196 offers reliable operation in high-power scenarios. Its high transition frequency (**f_T**) ensures efficient performance in fast-switching applications. The transistor also features a low saturation voltage, contributing to reduced power losses and improved efficiency.  

Encased in a **TO-3P** package, the 2SC5196 provides excellent thermal dissipation, making it suitable for systems where heat management is critical. Its rugged construction ensures durability under high-stress conditions, making it a preferred choice for power supply units, motor control circuits, and audio amplifiers.  

Engineers and designers favor the 2SC5196 for its balance of power handling, speed, and thermal stability. When integrated into circuit designs, proper heat sinking and drive circuitry should be considered to maximize performance and longevity. Overall, this transistor remains a dependable solution for high-power electronic applications.