MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR The 2SC5195 is a high-power NPN transistor manufactured by NEC. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 140 V
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 140 V
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 7 V
- **Collector Current (I_C)**: 10 A
- **Power Dissipation (P_D)**: 100 W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 320 (at I_C = 1 A, V_CE = 5 V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 20 MHz
- **Package**: TO-3P

These specifications are based on NEC's datasheet for the 2SC5195 transistor.

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR The 2SC5195 is a high-power NPN transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 230V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 230V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 15A
- **Collector Dissipation (Pc):** 150W
- **DC Current Gain (hFE):** 55 to 160
- **Transition Frequency (ft):** 20MHz
- **Operating Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Package:** TO-3P

These specifications are typical for the 2SC5195 transistor, which is commonly used in high-power amplification and switching applications.