MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR The 2SC5195-T1 is a high-power NPN transistor manufactured by NEC. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 230V
- **Collector Current (Ic):** 10A
- **Power Dissipation (Pd):** 100W
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 320 (depending on operating conditions)
- **Package:** TO-3P
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C
- **Applications:** High-power amplification, switching, and general-purpose use in industrial and consumer electronics.

These specifications are based on NEC's datasheet for the 2SC5195-T1 transistor.