MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR COMPACT MINI MOLD The 2SC5193 is a high-power NPN transistor manufactured by NEC. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 230V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 230V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 10A
- **Power Dissipation (Pc)**: 100W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (ft)**: 20MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the NEC datasheet for the 2SC5193 transistor.