MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR COMPACT MINI MOLD The 2SC5193-T1 is a high-power NPN transistor manufactured by NEC. Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer**: NEC
- **Type**: NPN Transistor
- **Package**: TO-3P
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 230V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 230V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 15A
- **Collector Power Dissipation (Pc)**: 150W
- **DC Current Gain (hFE)**: 55 to 160
- **Transition Frequency (ft)**: 20MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on the NEC datasheet for the 2SC5193-T1 transistor.