MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD The 2SC5192 is a high-power NPN transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 230V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 230V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 15A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 150W
- **DC Current Gain (hFE)**: 55 to 160 (at Vce = 5V, Ic = 5A)
- **Transition Frequency (ft)**: 20MHz
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-3P

This transistor is commonly used in high-power amplification and switching applications.