MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD The 2SC5192-T1 is a high-power NPN transistor manufactured by NEC. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
2. **Package**: TO-3P
3. **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 230V
4. **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 230V
5. **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
6. **Collector Current (Ic)**: 15A
7. **Power Dissipation (Pc)**: 150W
8. **DC Current Gain (hFE)**: 55 to 160 (at Ic = 5A, Vce = 5V)
9. **Transition Frequency (ft)**: 20MHz
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 2SC5192-T1 transistor as provided by NEC.