MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR The 2SC5191 is a high-power NPN transistor manufactured by NEC. Here are the factual specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 230V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 230V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 15A
- **Power Dissipation (Pc)**: 150W
- **DC Current Gain (hFE)**: 55 to 160
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz
- **Package**: TO-3P

These specifications are based on NEC's datasheet for the 2SC5191 transistor.