NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION The 2SC5186 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by NEC. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: Designed for high-speed switching and amplification in RF and VHF applications.
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 175MHz (typical)
- **Gain Bandwidth Product (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 5V)
- **Package**: TO-220F (isolated type)

These specifications are based on NEC's datasheet for the 2SC5186 transistor.