High fT, high gain transistor The 2SC5180-T1 is a transistor manufactured by NEC. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor designed for high-frequency amplification. Key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): 120V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 120V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V
- Collector Current (IC): 1.5A
- Total Power Dissipation (PT): 1W
- Transition Frequency (fT): 200MHz
- Operating Junction Temperature (Tj): 150°C
- Package: TO-92MOD

These specifications are typical for the 2SC5180-T1 transistor as provided by NEC.