TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE POWER AMPLIFIER AND DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS The 2SC5174 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Applications**: High-speed switching, RF amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 800MHz
- **Collector Capacitance (CC)**: 4pF
- **DC Current Gain (hFE)**: 100 to 320
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SC5174 transistor.