TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE POWER AMPLIFIER AND DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS The 2SC5171 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in RF and microwave applications. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 1A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W
- **Transition Frequency (fT)**: 5GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200
- **Package**: TO-92MOD

These specifications make the 2SC5171 suitable for applications requiring high-speed switching and low noise, such as in RF amplifiers and oscillators.