High breakdown voltage.VCEO = 400V NPN silicon transistor The **2SC5161** is a high-voltage NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for applications requiring robust power handling and efficient switching capabilities. This component is commonly utilized in power supply circuits, inverters, and high-voltage amplification systems due to its ability to sustain significant collector-emitter voltages and deliver substantial current.  

With a collector-emitter voltage (V_CEO) rating of up to 800V and a collector current (I_C) capacity of 7A, the 2SC5161 is well-suited for demanding environments. Its high-speed switching performance makes it particularly effective in pulse-width modulation (PWM) circuits and other high-frequency applications. Additionally, the transistor features a low saturation voltage, enhancing energy efficiency in power conversion systems.  

The 2SC5161 is typically packaged in a TO-220F form factor, ensuring effective heat dissipation and mechanical stability. Engineers often incorporate this transistor in designs where reliability under high-voltage conditions is critical. Proper heat sinking and circuit protection measures are recommended to maximize performance and longevity.  

In summary, the 2SC5161 is a versatile and durable electronic component, ideal for power management and switching applications where high voltage tolerance and efficient operation are essential.