Silicon NPN Power Transistors TO-3P(H)IS package The 2SC5150 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 15A
- **Collector Dissipation (PC):** 150W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT):** 30MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 320
- **Package:** TO-3P

These specifications are typical for the 2SC5150 transistor and are subject to standard manufacturing variations.

Silicon NPN Power Transistors TO-3P(H)IS package The 2SC5150 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications for the 2SC5150 transistor:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150 V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150 V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5 V
- **Collector Current (IC)**: 15 A
- **Collector Dissipation (PC)**: 150 W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150 °C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55 to +150 °C
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 320 (at IC = 5 A, VCE = 5 V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20 MHz (at IC = 5 A, VCE = 5 V)
- **Package**: TO-3P

These specifications are typical for the 2SC5150 transistor and are intended for use in high-speed switching and amplification applications.