TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE. HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV, HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS The 2SC5142 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in RF and microwave applications. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 100mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 7GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20-200

These specifications are typical for the 2SC5142 transistor and are subject to variation based on operating conditions and specific application requirements.

TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE. HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV, HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS The 2SC5142 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in RF amplifiers and oscillators, particularly in VHF and UHF bands. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 100mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W
- **Transition Frequency (fT)**: 7GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200
- **Package**: SOT-323 (SC-70)

These specifications make the 2SC5142 suitable for applications requiring high-speed switching and low noise in RF circuits.