Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator and General Purpose) The 2SC5130 is a high-voltage, high-speed switching transistor manufactured by SANKEN. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 1500V
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 1500V
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 7V
- **Collector Current (I_C)**: 10A
- **Power Dissipation (P_C)**: 100W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 8 to 40
- **Transition Frequency (f_T)**: 10MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-3P

These specifications are typical for the 2SC5130 transistor as provided by SANKEN.

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator and General Purpose) The 2SC5130 is a high-power NPN transistor manufactured by Sanyo Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-3P
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 230V
- **Collector Current (Ic)**: 15A
- **Power Dissipation (Pd)**: 150W
- **DC Current Gain (hFE)**: 55 to 160 (at Ic = 5A, Vce = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz
- **Operating Temperature**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for high-power amplification and switching applications.